PhotoMOSリレー実装時の推奨条件は？

各タイプごとの条件を解説いたします。

【標準P/C板端子タイプのはんだ付け推奨条件の一例】

※参考データとなりますので、実機による実装条件でのご確認をお願い致します。

１．DWS方式（推奨条件　回数：１回、測定箇所：端子はんだ付け部温度*1）

２．その他浸漬はんだ付け方式（推奨回数：1回）

予備加熱:120℃以下　120秒以下 　測定箇所:端子はんだ付け部

はんだ付け:260℃以下　10秒以下 　測定箇所:はんだ温度

３．はんだごて法

コテ先温度:350～400℃

はんだごて:30～60W

はんだ時間:3秒以内

【サーフェスマウント端子タイプのはんだ付け推奨条件の一例】

１．IRS法（リフロー）（推奨条件 リフロー回数：2回以下、測定箇所：端子はんだ付け部）

２．その他表面実装はんだ付け方式

上記以外のはんだ付け方法（VPS、ホットエアー加熱、ホットプレート加熱、レーザー加熱、パルスヒーター加熱など）については、リレーに与える影響が異なりますので、実機にてご確認のうえご使用ください。

３．はんだごて法

コテ先温度:350～400℃

はんだごて:30～60W

はんだ時間:3秒以内

●はんだは合金組成Sn3.0Ag0.5Cuのものを推奨いたします。