PhotoMOSリレー実装時の推奨条件は?
各タイプごとの条件を解説いたします。
【標準P/C板端子タイプのはんだ付け推奨条件の一例】
※参考データとなりますので、実機による実装条件でのご確認をお願い致します。
1.DWS方式(推奨条件 回数:1回、測定箇所:端子はんだ付け部温度*1)

2.その他浸漬はんだ付け方式(推奨回数:1回)
予備加熱:120℃以下 120秒以下 測定箇所:端子はんだ付け部
はんだ付け:260℃以下 10秒以下 測定箇所:はんだ温度
3.はんだごて法
コテ先温度:350~400℃
はんだごて:30~60W
はんだ時間:3秒以内
【サーフェスマウント端子タイプのはんだ付け推奨条件の一例】
1.IRS法(リフロー)(推奨条件 リフロー回数:2回以下、測定箇所:端子はんだ付け部)

2.その他表面実装はんだ付け方式
上記以外のはんだ付け方法(VPS、ホットエアー加熱、ホットプレート加熱、レーザー加熱、パルスヒーター加熱など)については、リレーに与える影響が異なりますので、実機にてご確認のうえご使用ください。
3.はんだごて法
コテ先温度:350~400℃
はんだごて:30~60W
はんだ時間:3秒以内
●はんだは合金組成Sn3.0Ag0.5Cuのものを推奨いたします。